图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1 |
| 晶体管类型 | 2 NPN (Dual) |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 20mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 200mV @ 100µA, 1mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500pA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | - |
| 功率 - 最大 | - |
| 频率转换 | 200MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-78-6 Metal Can |
| 供应商器件封装 | TO-78-6 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 6TO-78 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 6 |
| 最大集电极发射极电压 | 40 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.02 A |
| 最小直流电流增益 | 300@1mA|200@10uA |
| 最大工作频率 | 200(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.1@100uA@1mA V |
| 工作温度 | -40 to 85 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 集电极最大直流电流 | 0.02 |
| 供应商封装形式 | TO-78 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 85 |
| Maximum Transition Frequency | 200(Typ) |
| 最大集电极发射极电压 | 40 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最大集电极基极电压 | 40 |
| 最低工作温度 | -40 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 20mA |
| 晶体管类型 | 2 NPN (Dual) Matched Pair |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 200MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 200mV @ 100µA, 1mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500pA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V |
| 供应商设备封装 | TO-78-6 |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-78-6 Metal Can |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 系列 | MAT12 |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 40 V |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 85 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 0.02 A |
| 集电极 - 基极电压 | 40 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 40 V |
| 工作温度范围 | -40C to 85C |
| 包装类型 | TO-78 |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Industrial |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极电流（DC ） | 0.02 A |
| 频率 | 200 MHz |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :40V |
| Transition Frequency ft | :200MHz |
| DC Collector Current | :20mA |
| DC Current Gain hFE | :300 |
| Operating Temperature Min | :-40°C |
| Operating Temperature Max | :85°C |
| Transistor Case Style | :TO-78 |
| No. of Pins | :6 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Module Configuration | :Dual |
| 工作温度范围 | :-40°C to +85°C |
| Weight (kg) | 0.000001 |
| Tariff No. | 85412100 |
| associated | 1399525-M |
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